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DIL測試碳化硅的燒結過程
發布日期:2019-04-28  來源:德國耐馳熱分析  瀏覽次數:261
 
      碳化硅(SiC)是由硅和碳組成的陶瓷,人造的碳化硅作為研磨料,商品名為金剛砂,也可作為半導體材料和碳硅寶石。最常見類型是α-碳化硅,其合成溫度超過2000°C,結構呈六方晶系。另一種β-碳化硅呈面心立方結構,制備溫度通常低于2000°C,但商業價值不高。碳化硅的比重為3.2g/cm3,熔點溫度高達2700°C,呈化學惰性,熱膨脹系數很低,并且不會發生相轉變,非常適合用作高溫軸套和爐體材料。

測試條件:

溫度范圍:1000 … 2200°C

樣品長度:18.66mm

校正標樣:Poco石墨

升溫速率:5K/min

氣氛:He  

 

結果討論:

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上圖是碳化硅生坯(主要是由SiC粉末和燒結助劑混合而成)在1000°C到2200°C下熱膨脹測試曲線,呈兩步燒結步驟。第一步燒結收縮速率在1313°C達到最大,這是因為燒結助劑的減少。第二步收縮速率在1817°C達到最大,這是由于坯體的收縮/致密化造成的。該例說明使用DIL 402測量超過2000°C的陶瓷燒結過程是完全沒有問題。

 
 
 

 
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